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元件参数资料
>
参数目录40276
> IRF7501TR MOSFET DUAL N-CH 20V 2.4A MICRO8
型号:
IRF7501TR
RoHS:
否
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET DUAL N-CH 20V 2.4A MICRO8
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 阵列
IRF7501TR PDF
产品目录绘图
IR Hexfet Micro-8
IR Hexfet 8-SOIC
标准包装
1
系列
HEXFET®
FET 型
2 个 N 沟道(双)
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
2.4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
135 毫欧 @ 1.7A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
700mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
8nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
260pF @ 15V
功率 - 最大
1.25W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
供应商设备封装
Micro8?
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1523 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
*IRF7501TR
IRF7501
IRF7501CT
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